1. Degré de vide ultime de la chambre de gravure : inférieur ou égal à 9.0×10-5Pa ;
2. Matériaux de gravure : silicium, quartz, composés III.-V, céramiques et métaux divers, films durs non métalliques, etc. ;
3. Taux de gravure : supérieur ou égal à 10 nm ~ 200 nm/min (en fonction du matériau et du processus de gravure spécifiques) ;
4. Source d'ions : source d'ions CC circulaire de diamètre Φ150 mm ;
5. Plage d'énergie des ions Ar+ : 100 ~ 1000 eV ;
6. Densité du faisceau ionique : 0~1 mA/cm2.